Сумки для ноубуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутбуков

Сумки для ноутбуков в Москве


Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
(495) 788-15-29
многоканальный
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
Портком: сумки, кейсы, чехлы, ноутбуки Acer, Asus
Принять участие
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
on-line консультации специалиста ICQ: 
ICQ476557723  ICQ219699238









Оперативная доставка по всей России



Главная :: Все новости :: Компания Micron передала в производство первые микросхемы 128-слойной флеш-памяти 3D NAND с новой архитектурой ячеек

Компания Micron передала в производство первые микросхемы 128-слойной флеш-памяти 3D NAND с новой архитектурой ячеек

В отличие от последней, технология RG была разработана Micron не совместно с Intel, а самостоятельно. По данным источника, компания Micron передала в производство первые микросхемы памяти 3D NAND четвертого поколения, в которых применена новая архитектура — RG (replacement gate), которая сменит используемую сейчас технологию плавающего затвора.

Переход к новой архитектуре позволяет уменьшить размеры кристалла и производственные затраты. В новой памяти насчитывается до 128 слоев. Кроме того, он облегчает освоение последующих поколений технологии.

Существенное снижение цен ожидается в 2021 финансовом году (у Micron он начнется в конце сентября 2020 года), когда новая архитектура уже второго поколения начнет применяться в широком масштабе. В то же время, компания предупреждает, что первое время выпуск памяти на новой архитектуре будет ограничен и мало скажется на цене 3D NAND. А пока Micron наращивает производство 96-слойной флеш-памяти 3D NAND, под которое в 2020 финансовом году будет отведено подавляющее большинство производственных линий.

В отличие от последней, технология RG была разработана Micron не совместно с Intel, а самостоятельно. По данным источника, компания Micron передала в производство первые микросхемы памяти 3D NAND четвертого поколения, в которых применена новая архитектура — RG (replacement gate), которая сменит используемую сейчас технологию плавающего затвора.

Переход к новой архитектуре позволяет уменьшить размеры кристалла и производственные затраты. В новой памяти насчитывается до 128 слоев. Кроме того, он облегчает освоение последующих поколений технологии.

Существенное снижение цен ожидается в 2021 финансовом году (у Micron он начнется в конце сентября 2020 года), когда новая архитектура уже второго поколения начнет применяться в широком масштабе. В то же время, компания предупреждает, что первое время выпуск памяти на новой архитектуре будет ограничен и мало скажется на цене 3D NAND. А пока Micron наращивает производство 96-слойной флеш-памяти 3D NAND, под которое в 2020 финансовом году будет отведено подавляющее большинство производственных линий.

Дата публикации: 09.10.2019



Ещё новости


  17.02.2020  Определены регионы России с самым большим количеством абонентов мобильного интернета

  17.02.2020  В России заблокировали сайты с опубликованными личными данным россиян

  17.02.2020  США назвали крупнейшим шпионом в интернете

  17.02.2020  Бестселлеры Redmi Note 8 и Redmi Note 8 Pro резко подешевели в Китае

За три месяца в мире было продано более 10 миллионов таких смартфонов, при этом они регулярно дешевеют. Смартфоны Redmi Note 8 и Redmi Note 8 Pro, которые были выпущены в конце августа прошлого года, ...

  17.02.2020  Грядущий весенний фотофлагман Huawei P40 Pro появился на изображениях в черном цвете



Все новости
ПортКом: Сумки и всевозможные аксессуары для портативной техники