Сумки для ноубуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутбуков

Сумки для ноутбуков в Москве


Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
(495) 788-15-29
многоканальный
Оперативная доставка по всей России
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
Портком: сумки, кейсы, чехлы, ноутбуки Acer, Asus
Принять участие
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
on-line консультации специалиста ICQ: 
ICQ476557723  ICQ219699238













Главная :: Все новости :: Samsung поделилась успехами в освоении 3-нм техпроцесса

Samsung поделилась успехами в освоении 3-нм техпроцесса

Описываемый подход намереваются, пусть и с какими-то вариациями, применить и TSMC, и Intel, но Samsung опережает их на целый год, как минимум. Южнокорейская компания Samsung Electronics на одном из корпоративных мероприятий для клиентов, пользующихся её услугами по контрактному производству полупроводниковых изделий, объявила о доступности для разработчиков инструментария, позволяющего создавать продукты, которые будут выпускаться по 3-нм технологии с инновационной пространственной структурой транзисторов.

От общепринятой компоновки транзистора с каналами, полностью окружёнными затворами (Gate All Around, GAA), она отличается продолговатой формой каналов. Новую структуру транзистора Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), она изображена на иллюстрации в крайнем правом положении. Их ширину и количество можно варьировать, определяя тем самым рабочие характеристики транзистора.

Либо можно поднять быстродействие транзисторов на 35% в рамках того же энергопотребления. Техпроцесс с нормами 3 нм, который подразумевает использование MBCFET, позволяет на 45% сократить площадь кристалла по сравнению с 7-нм техпроцессом, при этом уровень энергопотребления снижается вдвое. Цифровые проекты прототипов 3-нм изделий компанией Samsung уже получены, компания намеревается и дальше совершенствовать характеристики 3-нм техпроцесса.

В первой половине следующего года начнётся массовый выпуск изделий по 5-нм технологии. Во второй половине этого года Samsung рассчитывает запустить серийное производство 6-нм изделий, и завершить разработку 4-нм техпроцесса. До их более мощных сородичей новый техпроцесс доберётся только в 2022 году. Выпуск 3-нм продуктов с описанной выше структурой транзисторов будет освоен в 2021 году, но это будут изделия с низким уровнем энергопотребления. А вот с помощью какой технологии Samsung преодолеет барьер в 1 нм, компания пока не решила, но она не сомневается, что этот рубеж будет покорён. Новая структура транзисторов, по оценкам представителей Samsung, позволит создавать и 2-нм продукты.

Либо можно поднять быстродействие транзисторов на 35% в рамках того же энергопотребления. Техпроцесс с нормами 3 нм, который подразумевает использование MBCFET, позволяет на 45% сократить площадь кристалла по сравнению с 7-нм техпроцессом, при этом уровень энергопотребления снижается вдвое. Цифровые проекты прототипов 3-нм изделий компанией Samsung уже получены, компания намеревается и дальше совершенствовать характеристики 3-нм техпроцесса.

Описываемый подход намереваются, пусть и с какими-то вариациями, применить и TSMC, и Intel, но Samsung опережает их на целый год, как минимум. Южнокорейская компания Samsung Electronics на одном из корпоративных мероприятий для клиентов, пользующихся её услугами по контрактному производству полупроводниковых изделий, объявила о доступности для разработчиков инструментария, позволяющего создавать продукты, которые будут выпускаться по 3-нм технологии с инновационной пространственной структурой транзисторов.

От общепринятой компоновки транзистора с каналами, полностью окружёнными затворами (Gate All Around, GAA), она отличается продолговатой формой каналов. Новую структуру транзистора Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), она изображена на иллюстрации в крайнем правом положении. Их ширину и количество можно варьировать, определяя тем самым рабочие характеристики транзистора.

В первой половине следующего года начнётся массовый выпуск изделий по 5-нм технологии. Во второй половине этого года Samsung рассчитывает запустить серийное производство 6-нм изделий, и завершить разработку 4-нм техпроцесса. До их более мощных сородичей новый техпроцесс доберётся только в 2022 году. Выпуск 3-нм продуктов с описанной выше структурой транзисторов будет освоен в 2021 году, но это будут изделия с низким уровнем энергопотребления. А вот с помощью какой технологии Samsung преодолеет барьер в 1 нм, компания пока не решила, но она не сомневается, что этот рубеж будет покорён. Новая структура транзисторов, по оценкам представителей Samsung, позволит создавать и 2-нм продукты.

Дата публикации: 15.05.2019



Ещё новости


  21.05.2019  Инженерное наследие IBM переходит от GlobalFoundries к Marvell

На этой неделе Marvell сообщила о достижении договорённости с GlobalFoundries о покупке Avera Semiconductor одновременно с заключением соглашения о сотрудничестве в сфере контрактного производства пол...

  21.05.2019  Представлены новые умные Android-очки от Google

Она позволяет поддерживать повышенную производительность для работы искусственного интеллекта и увеличить время автономной работы. Аппаратной основой новых Google Glass стала платформа Snapdragon XR1....

  21.05.2019  Появились первые качественные изображения нового смартфона Vivo с большим аккумулятором и врезанной в экран камерой

Мы не удивимся, если разрешение главного модуля составит 48 Мп. Он оснащен дактилоскопическим датчиком на задней панели, а также тройной основной камерой. Такая компоновка основной камеры становится в...

  21.05.2019  Магнитное поле Юпитера оказалось зависящим от ветра

Ход этих процессов неплохо изучен по палеомагнитным данным, с причинами сложнее — имеющиеся модели их, в общем, объясняют, но, вполне возможно, что не до конца. Магнитное поле Земли переменчиво, вплот...

  20.05.2019  Изобретён новый способ изъятия денег из банкоматов Сбербанка

Сначала мошенник начинает на терминале операцию, не вставляя карту, не завершает ее и отходит. Схема оказалась проста. Терминал дает на завершение операции 90 секунд, и если в этот период свою карту в...



Все новости
ПортКом: Сумки и всевозможные аксессуары для портативной техники