Сумки для ноубуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутбуков

Сумки для ноутбуков в Москве


Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
(495) 788-15-29
многоканальный
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
Портком: сумки, кейсы, чехлы, ноутбуки Acer, Asus
Принять участие
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
on-line консультации специалиста ICQ: 
ICQ476557723  ICQ219699238











Оперативная доставка по всей России

Главная :: Все новости :: Samsung поделилась успехами в освоении 3-нм техпроцесса

Samsung поделилась успехами в освоении 3-нм техпроцесса

Описываемый подход намереваются, пусть и с какими-то вариациями, применить и TSMC, и Intel, но Samsung опережает их на целый год, как минимум. Южнокорейская компания Samsung Electronics на одном из корпоративных мероприятий для клиентов, пользующихся её услугами по контрактному производству полупроводниковых изделий, объявила о доступности для разработчиков инструментария, позволяющего создавать продукты, которые будут выпускаться по 3-нм технологии с инновационной пространственной структурой транзисторов.

От общепринятой компоновки транзистора с каналами, полностью окружёнными затворами (Gate All Around, GAA), она отличается продолговатой формой каналов. Новую структуру транзистора Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), она изображена на иллюстрации в крайнем правом положении. Их ширину и количество можно варьировать, определяя тем самым рабочие характеристики транзистора.

Либо можно поднять быстродействие транзисторов на 35% в рамках того же энергопотребления. Техпроцесс с нормами 3 нм, который подразумевает использование MBCFET, позволяет на 45% сократить площадь кристалла по сравнению с 7-нм техпроцессом, при этом уровень энергопотребления снижается вдвое. Цифровые проекты прототипов 3-нм изделий компанией Samsung уже получены, компания намеревается и дальше совершенствовать характеристики 3-нм техпроцесса.

В первой половине следующего года начнётся массовый выпуск изделий по 5-нм технологии. Во второй половине этого года Samsung рассчитывает запустить серийное производство 6-нм изделий, и завершить разработку 4-нм техпроцесса. До их более мощных сородичей новый техпроцесс доберётся только в 2022 году. Выпуск 3-нм продуктов с описанной выше структурой транзисторов будет освоен в 2021 году, но это будут изделия с низким уровнем энергопотребления. А вот с помощью какой технологии Samsung преодолеет барьер в 1 нм, компания пока не решила, но она не сомневается, что этот рубеж будет покорён. Новая структура транзисторов, по оценкам представителей Samsung, позволит создавать и 2-нм продукты.

Либо можно поднять быстродействие транзисторов на 35% в рамках того же энергопотребления. Техпроцесс с нормами 3 нм, который подразумевает использование MBCFET, позволяет на 45% сократить площадь кристалла по сравнению с 7-нм техпроцессом, при этом уровень энергопотребления снижается вдвое. Цифровые проекты прототипов 3-нм изделий компанией Samsung уже получены, компания намеревается и дальше совершенствовать характеристики 3-нм техпроцесса.

Описываемый подход намереваются, пусть и с какими-то вариациями, применить и TSMC, и Intel, но Samsung опережает их на целый год, как минимум. Южнокорейская компания Samsung Electronics на одном из корпоративных мероприятий для клиентов, пользующихся её услугами по контрактному производству полупроводниковых изделий, объявила о доступности для разработчиков инструментария, позволяющего создавать продукты, которые будут выпускаться по 3-нм технологии с инновационной пространственной структурой транзисторов.

От общепринятой компоновки транзистора с каналами, полностью окружёнными затворами (Gate All Around, GAA), она отличается продолговатой формой каналов. Новую структуру транзистора Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), она изображена на иллюстрации в крайнем правом положении. Их ширину и количество можно варьировать, определяя тем самым рабочие характеристики транзистора.

В первой половине следующего года начнётся массовый выпуск изделий по 5-нм технологии. Во второй половине этого года Samsung рассчитывает запустить серийное производство 6-нм изделий, и завершить разработку 4-нм техпроцесса. До их более мощных сородичей новый техпроцесс доберётся только в 2022 году. Выпуск 3-нм продуктов с описанной выше структурой транзисторов будет освоен в 2021 году, но это будут изделия с низким уровнем энергопотребления. А вот с помощью какой технологии Samsung преодолеет барьер в 1 нм, компания пока не решила, но она не сомневается, что этот рубеж будет покорён. Новая структура транзисторов, по оценкам представителей Samsung, позволит создавать и 2-нм продукты.

Дата публикации: 15.05.2019



Ещё новости


  26.05.2020  Тестирование актуальных видеокарт и процессоров в игре F1 2019

  25.05.2020  Как работает забавный робот-попрыгунчик

Однако, как только необходимо совершить скачок, встроенный в зазор между двумя крышками шланг начинает нагнетать воздух. В состоянии покоя привод просто плотно прилегает к земле. Одновременно с этим н...

  24.05.2020  Коронавирус может негативно влиять на плаценту беременных

Грипп не проникает через плаценту, однако он может ее повреждать. Предыдущие исследования показали, что дети, находившиеся в утробе матери во время пандемии гриппа 1918 — 1919 годов, которую часто сра...

  26.05.2020  Radeon RX 580 обновил рекорд 3DMark11 Extreme в связке с Core i9-9900K

Тест 3DMark11 Extreme видеокарта прошла с результатом 8379 баллов, что является лучшим достижением в модельном зачёте. Российский энтузиаст 12 уже давно экспериментирует с экстремальным разгоном видео...

  25.05.2020  Samsung может представить новый бюджетный смартфон Galaxy M01 на базе процессора Snapdragon 439

Емкость аккумулятора новинки составит 4000 мАч, а цена не превысит 150 долларов. Прочие утечки указывают на то, что Galaxy M01 оснастят 5,71-дюймовым дисплеем с разрешением HD+, основной камерой на 13...



Все новости
ПортКом: Сумки и всевозможные аксессуары для портативной техники