Сумки для ноубуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутбуков

Сумки для ноутбуков в Москве


Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
(495) 788-15-29
многоканальный
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
Портком: сумки, кейсы, чехлы, ноутбуки Acer, Asus
Принять участие
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
on-line консультации специалиста ICQ: 
ICQ476557723  ICQ219699238







Оперативная доставка по всей России





Главная :: Все новости :: Samsung поделилась успехами в освоении 3-нм техпроцесса

Samsung поделилась успехами в освоении 3-нм техпроцесса

Описываемый подход намереваются, пусть и с какими-то вариациями, применить и TSMC, и Intel, но Samsung опережает их на целый год, как минимум. Южнокорейская компания Samsung Electronics на одном из корпоративных мероприятий для клиентов, пользующихся её услугами по контрактному производству полупроводниковых изделий, объявила о доступности для разработчиков инструментария, позволяющего создавать продукты, которые будут выпускаться по 3-нм технологии с инновационной пространственной структурой транзисторов.

От общепринятой компоновки транзистора с каналами, полностью окружёнными затворами (Gate All Around, GAA), она отличается продолговатой формой каналов. Новую структуру транзистора Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), она изображена на иллюстрации в крайнем правом положении. Их ширину и количество можно варьировать, определяя тем самым рабочие характеристики транзистора.

Либо можно поднять быстродействие транзисторов на 35% в рамках того же энергопотребления. Техпроцесс с нормами 3 нм, который подразумевает использование MBCFET, позволяет на 45% сократить площадь кристалла по сравнению с 7-нм техпроцессом, при этом уровень энергопотребления снижается вдвое. Цифровые проекты прототипов 3-нм изделий компанией Samsung уже получены, компания намеревается и дальше совершенствовать характеристики 3-нм техпроцесса.

В первой половине следующего года начнётся массовый выпуск изделий по 5-нм технологии. Во второй половине этого года Samsung рассчитывает запустить серийное производство 6-нм изделий, и завершить разработку 4-нм техпроцесса. До их более мощных сородичей новый техпроцесс доберётся только в 2022 году. Выпуск 3-нм продуктов с описанной выше структурой транзисторов будет освоен в 2021 году, но это будут изделия с низким уровнем энергопотребления. А вот с помощью какой технологии Samsung преодолеет барьер в 1 нм, компания пока не решила, но она не сомневается, что этот рубеж будет покорён. Новая структура транзисторов, по оценкам представителей Samsung, позволит создавать и 2-нм продукты.

Либо можно поднять быстродействие транзисторов на 35% в рамках того же энергопотребления. Техпроцесс с нормами 3 нм, который подразумевает использование MBCFET, позволяет на 45% сократить площадь кристалла по сравнению с 7-нм техпроцессом, при этом уровень энергопотребления снижается вдвое. Цифровые проекты прототипов 3-нм изделий компанией Samsung уже получены, компания намеревается и дальше совершенствовать характеристики 3-нм техпроцесса.

Описываемый подход намереваются, пусть и с какими-то вариациями, применить и TSMC, и Intel, но Samsung опережает их на целый год, как минимум. Южнокорейская компания Samsung Electronics на одном из корпоративных мероприятий для клиентов, пользующихся её услугами по контрактному производству полупроводниковых изделий, объявила о доступности для разработчиков инструментария, позволяющего создавать продукты, которые будут выпускаться по 3-нм технологии с инновационной пространственной структурой транзисторов.

От общепринятой компоновки транзистора с каналами, полностью окружёнными затворами (Gate All Around, GAA), она отличается продолговатой формой каналов. Новую структуру транзистора Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), она изображена на иллюстрации в крайнем правом положении. Их ширину и количество можно варьировать, определяя тем самым рабочие характеристики транзистора.

В первой половине следующего года начнётся массовый выпуск изделий по 5-нм технологии. Во второй половине этого года Samsung рассчитывает запустить серийное производство 6-нм изделий, и завершить разработку 4-нм техпроцесса. До их более мощных сородичей новый техпроцесс доберётся только в 2022 году. Выпуск 3-нм продуктов с описанной выше структурой транзисторов будет освоен в 2021 году, но это будут изделия с низким уровнем энергопотребления. А вот с помощью какой технологии Samsung преодолеет барьер в 1 нм, компания пока не решила, но она не сомневается, что этот рубеж будет покорён. Новая структура транзисторов, по оценкам представителей Samsung, позволит создавать и 2-нм продукты.

Дата публикации: 15.05.2019



Ещё новости


  15.07.2019  Названы самые популярные SSD для компьютеров в мире

PC SN720 (название SSD-диска — прим. Первое место занял накопитель компании Western Digital. По крайней мере так говорят официальные данные. редакции) объемом 1 ТБ подключается к разъему M.2 и работ...

  14.07.2019  Первое «живое» фото iPhone 2019 оказалось подделкой

Что ж, узнаем всю правду о новых айфонах в сентябре. Эта история доказывает нам ещё раз, что нельзя верить всем «утечкам» в интернете. На ней запечатлены глава Apple Тим Кук (Tim Cook) и дизайнер Джон...

  13.07.2019  Samsung запатентовала складные умные очки

Судя по всему, устройство определяет, в каком состоянии — сложенном или нет — оно находится с помощью специальных магнитных датчиков. Если хотя бы одна из дужек очков раскрыта, проекторы, вмонтированн...

  15.07.2019  Ещё одна соцсеть согласилась выдавать российским властям данные пользователей

Представители компании показали Роскомнадзору, как работает система модерации «социально опасного контента» в соцсети. Помимо этого на встрече обсудили защиту несовершеннолетних пользователей TikTok. ...

  14.07.2019  Sony представила самый быстрый USB-разветвитель

Весит оно всего 95 граммов. Устройство заключено в прочный алюминиевый корпус. В комплект входит кабель с двумя разъёмами USB-C. Хаб MRW-W3 поддерживает чтение карт памяти SD и microSD, оснащён двумя ...



Все новости
ПортКом: Сумки и всевозможные аксессуары для портативной техники