Сумки для ноубуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутбуков

Сумки для ноутбуков в Москве


Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
(495) 788-15-29
многоканальный
Оперативная доставка по всей России
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
Портком: сумки, кейсы, чехлы, ноутбуки Acer, Asus
Принять участие
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
on-line консультации специалиста ICQ: 
ICQ476557723  ICQ219699238













Главная :: Все новости :: Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит. Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).

Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры.

Теги: Samsung Комментировать Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Теги: Samsung Комментировать Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит. Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).

Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры.

Дата публикации: 20.12.2017



Ещё новости


  17.09.2018  Новый флагманский смартфон Samsung линейки Galaxy A получит SoC Snapdragon 710

Судя по новым данным, ситуация будет немного иной. Вчера мы узнали, что Samsung якобы готовит смартфон линейки Galaxy A, который получит SoC Snapdragon 845. Это позволит сделать новинку чуть дешевле, ...

  18.09.2018  Google начала начислять кешбэк за покупки в Google Play

Это следует из материалов корпоративного сайта поискового гиганта. Сегодня, 18 сентября, компания Google официально запустила программу лояльности в Google Play под названием Play Point. Участники про...

  19.09.2018  Глава Xiaomi показал смартфон Mi 8 Lite

Он должен оказаться проще по техническим характеристикам и дешевле, чем стандартная модель Xiaomi Mi 8.  Xiaomi Mi 8 Youth  ориентирован на молодёжную аудиторию. Он должен оказаться проще по техническ...

  18.09.2018  Новый сайт русскоязычного сообщества KDE

На сайте размещена основная информация о сообществе, ссылки для загрузки продуктов, инструкции для новых участников и список страниц в соцсетях. Русскоязычное сообщество KDE запустило обновлённый сай...

  17.09.2018  27 простых лайфхаков для дома



Все новости
ПортКом: Сумки и всевозможные аксессуары для портативной техники