Сумки для ноубуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутбуков

Сумки для ноутбуков в Москве


Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
(495) 788-15-29
многоканальный
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
Портком: сумки, кейсы, чехлы, ноутбуки Acer, Asus
Принять участие
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
on-line консультации специалиста ICQ: 
ICQ476557723  ICQ219699238









Оперативная доставка по всей России



Главная :: Все новости :: Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит. Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).

Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры.

Теги: Samsung Комментировать Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Теги: Samsung Комментировать Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит. Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).

Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры.

Дата публикации: 20.12.2017



Ещё новости


  22.06.2018  Смешанная реальность Microsoft: цифры и мнения

В опросе участвовали 394 руководителя компаний, имеющих более 250 сотрудников и работающих в разных отраслях, включая производство, строительство, розничную торговлю, образование и оборонную промышлен...

  22.06.2018  Недорогой смартфон Vivo Y81 представлен официально

Однако не стоит спешить с его покупкой — заявленная цена для такой начинки чересчур высока, так что лучше немного подождать, пока Vivo не одумается и не снизит стоимость. Состоялся анонс сравнит...

  22.06.2018  Warhammer Vermintide 2 выйдет на Xbox One в июле

И вот, совсем скоро к ним присоединятся владельцы Xbox One: разработчики объявили о том, что до консолей от Microsoft игра доберётся 11 июля. PC-игроки получают удовольствие от совместного сокрушения ...

  22.06.2018  Ученые объяснили, почему мы никогда не найдем инопланетян

Но тогда она должна быть чрезвычайно редкой, исчезать очень быстро или скрывать себя от остальных. «Коллеги говорят, что мы не нашли следов инопланетян по той причине, что разумная жизнь возникает во ...

  22.06.2018  Volvo планирует создать самоуправляемый автомобиль четвертого уровня к 2021 году

Система четвертого уровня управляет автомобилем полностью самостоятельно, не требуя участия человека. Компани Volvo поставила цель у 2021 году оснастить популярный кроссовер XC90 системой самоуправляе...



Все новости
ПортКом: Сумки и всевозможные аксессуары для портативной техники