Сумки для ноубуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутбуков

Сумки для ноутбуков в Москве


Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
(495) 788-15-29
многоканальный
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
Портком: сумки, кейсы, чехлы, ноутбуки Acer, Asus
Принять участие
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
on-line консультации специалиста ICQ: 
ICQ476557723  ICQ219699238







Оперативная доставка по всей России





Главная :: Все новости :: Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит. Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).

Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры.

Теги: Samsung Комментировать Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Теги: Samsung Комментировать Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит. Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).

Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры.

Дата публикации: 20.12.2017



Ещё новости


  10.12.2018  In Win 307 - стильный корпус с оригинальной настраиваемой подсветкой передней панели

Речь идет о модели за номером 307 от компании In Win, которая обращает на себя внимание фронтальной панелью, что содержит в себе 144 многоцветных диода. В эти выходные рынок пополнился довольно интере...

  10.12.2018  Плохие продажи новых iPhone заставляют Apple прибегнуть к агрессивной рекламе

Нет, в абсолютном выражении компания продаёт огромное число аппаратов, и вряд ли что-то кардинально изменится в ближайшее время, но относительно прошлых лет продажи падают, кроме того, они ниже, чем р...

  10.12.2018  В экране Samsung Galaxy S10+ будет два выреза

По словам источника, изображение отражает ожидания некоего производителя чехлов для смартфонов. Известный своей осведомленностью Эван Бласс (Evan Blass) через аккаунт в Twitter под ником @evleaks опуб...

  10.12.2018  Google-чтения «От мала до велика»: добро пожаловать в сказку!

  22.11.2018  В Россию приехала настоящая экзотика: складной смартфон ZTE Axon M с двумя экранами

Изначально смартфон был представлен только для США по цене 725 долларов в октябре прошлого года. Необычную новинку можно заказать по цене 39990 рублей, а розничные продажи начнутся 26 ноября. Затем он...



Все новости
ПортКом: Сумки и всевозможные аксессуары для портативной техники