Сумки для ноубуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутбуков

Сумки для ноутбуков в Москве


Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
(495) 788-15-29
многоканальный
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
Портком: сумки, кейсы, чехлы, ноутбуки Acer, Asus
Принять участие
Сумки для ночбуков, портфели для ноутбуков, кейсы для ноутдуков
on-line консультации специалиста ICQ: 
ICQ476557723  ICQ219699238











Оперативная доставка по всей России

Главная :: Все новости :: Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит. Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).

Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры.

Теги: Samsung Комментировать Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Теги: Samsung Комментировать Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 второго поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.

Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит. Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).

Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры.

Дата публикации: 20.12.2017



Ещё новости


  15.01.2018  Смартфон Asus ZenFone 5 Lite получит шестидюймовый экран и SoC Snapdragon

Цифры 60 указывают на то, что дисплей новинки будет иметь диагональ 6 дюймов. Подробные характеристики устройства не сообщаются, однако кое-что мы можем узнать из модельного номера ZC600KL. Предположи...

  16.01.2018  Аналитики указывают на возможность снижения цен на память

По крайней мере, это касается догоняющих Samsung участников рынка: WDC, Toshiba и Micron демонстрируют готовность к экспансии. Производители памяти продолжат увеличивать объёмы выпуска продукции. Анал...

  17.01.2018  В 2018 году Foxconn отвоевала у Quanta Computer часть заказов на MacBook

Представители Foxconn и Quanta Computer от комментариев воздерживаются. Foxconn начнет массовое производство соответствующей продукции во втором квартале 2018 года. Данные Digitimes Research указывают...

  15.01.2018  В Чернобыле построили солнечную электростанцию

Уточнялось также, что объем инвестиций в строительство составил 1 миллион евро. В конце ноября прошлого года о том, что строительство первой солнечной электростанции в Чернобыле близится к завершению,...

  16.01.2018  Forza Horizon 3 c подержкой 4К вышла для Xbox One X

Улучшенная версия Forza Horizon 3 приносит поддержку 4К-разрешения для игровой приставки Xbox One X. Компания Microsoft объявила о выпуске бесплатного обновления игры Forza Horizon 3. Она поддерживает...



Все новости
ПортКом: Сумки и всевозможные аксессуары для портативной техники